深职要闻

11月14日至16日，第二十七届中国国际高新技术成果交易会在深圳举行，我校精心遴选组织28个项目参展，项目涉及集成电路、机器人、新能源、智能制造等领域，充分展现了学校紧跟产业发展前沿，在服务企业源头创新、促进科研成果市场转化以及开展创新创业教育的最新成果。

党委副书记、校长许建领在展厅现场听取项目介绍。

AI全自动手机贴膜机惊艳全场本届高交会，深职大展位首次展出的“膜力无限”项目——AI全自动手机贴膜机引发广泛关注。该项目为中国国际大学生创新大赛金奖项目，致力于成为全球无人化手机贴膜行业领导者。这款由郑付成博士带领学生和企业团队研发的设备，深耕手机后市场，以“90秒快速完成贴膜+全球智能化运维”为核心优势。设备攻克“多模组联动清洁”“自适应稳态贴合”等核心技术，最快90秒完成贴膜。设备有 5400 张货道容量，支持 24 小时无人值守，结合云原生 SaaS 系统实现耗材管理与远程运维。完美解决了海外手机人工贴膜价格高、效率低、效果不稳定、行业需求迫切等痛点。

“膜力无限”项目——AI全自动手机贴膜机引发广泛关注。

目前，“膜力无限”已出口至海外19个国家/地区，单台设备在海外市场表现突出，平均回本周期3个月。累计申请国际 PCT 、发明专利、外观专利等 20余项，获美国 FCC、欧盟 CE、日本 PSE等多项国际权威认证。项目负责人表示，团队将深耕手机后市场，拓展全自动 AI 手机壳定制机等产品，打造无人化 3C 服务场景，构建 “自有渠道 +第三方渠道” 模式，建立海外运营中心，引领全球无人化手机后市场行业发展。

深职大展厅吸引不少观众驻足。

参展项目吸睛众多展会现场，PVD外延技术装备——科研及产业化、半绝缘电阻率检测设备等项目吸引了众多参展观众的目光。PVD外延技术装备采用PVD（物理气相沉积）技术，制备外延薄膜（单晶）。项目团队从2012年开始深耕该领域，并针对工程与产业化需求，配套研发（优化）了多项关键零部件。以第三代半导体GaN单晶为研究对象，项目团队在高真空环境中实现原子级原位探测，从而在原子尺度上精确调控GaN薄膜的沉积过程，探索其向外延生长转化的关键工艺窗口。传统工艺中，GaN外延多采用MOCVD技术，但该方法易引入碳、氢杂质。本项目采用的PVD外延路径，则可有效避免碳氢污染，提升材料纯度。项目重点包括研发专用外延电源，支撑高质量外延工艺的实现；开展GaN外延动力学研究，揭示原子尺度缺陷对材料电学性能（如低缺陷浓度、低漏电、高击穿电压）的影响机制。在材料源方面，采用液态镓源与氮气离化源，并配备固体靶材，以满足AlGaN、InGaN薄膜制备及衬底掺杂等多元化工艺需求。半绝缘电阻率检测设备专注于研发与生产基于TDCM（动态电容测量）容阻放电电学理论的半绝缘电阻率检测设备，用于实现半导体材料（如GaAs、SiC、GaN等）的电阻率、迁移率和载流子浓度的非接触式高精度测量。该设备通过动态电容原理无损检测材料电学参数，避免传统接触式测量对样品的损伤，显著提升检测效率和准确性。

近年来，学校坚持“立地顶天”的应用科研导向，科研创新能力持续增强。积极深化与企业、第三方机构的产学研用协同，充分利用“中国科技第一展”——高交会等平台推动科技成果转化，探索构建了线上线下结合、专业化与市场化双轮驱动的科技成果转化与交易体系。

（科研处/文 宣传部 张雷 校融媒体中心 钟雯玉/图）